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S中波段高電壓砷化鎵場邊際效應多晶體管AM030MH4-BI-R

公布日子:2018-11-07 11:32:45     打開網頁:1705

描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙系類產品GaAs HIFET的十這那部分。HIFET是這那部分適應的專利證書專用設備選配的高電壓值,高功效,高曲線度和網絡帶寬應該用。該器材的總器材外圍網為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高功效微波加熱應該用而設汁方案的,運作頻點高達獨角獸3GHz。BI系類產品進行一類獨特設汁方案的陶瓷廠家打包封裝形式,極具微彎或線路的引線和凸緣進行安裝的方法。打包封裝形式左下角的法蘭盤另外成為電流地線、rf射頻地線和熱路。這款HiFET是符合要求RoHS規范標準的。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM 511AM030MH4-BI-R RLB 1周 50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
適用于合理有效熱量散發的瓷質封裝形式


應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信
推送方式
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