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CGHV1F025S是一款無與倫比的氮化鎵（GaN）高(gao)電(dian)子遷移率晶體管（HEMT），專為(wei)高(gao)效(xiao)率，高(gao)增益和寬(kuan)帶寬(kuan)功能而設計。該器(qi)件(jian)可用(yong)(yong)于L，S，C，X和Ku波段放(fang)大器(qi)應用(yong)(yong)。數據手(shou)冊規格基于X-Band（8.9 - 9.6-GHz）放(fang)大器(qi)。CGHV1F025S采用(yong)(yong)40伏(fu)軌道電(dian)路(lu)，采用(yong)(yong)3 mm x 4 mm表面貼(tie)裝(zhuang)雙(shuang)扁平(ping)無引(yin)線(xian)（DFN）封裝(zhuang)。在功耗降低的情況下(xia)，晶體管可以在低于40V的電(dian)壓下(xia)工(gong)作至(zhi)低至(zhi)20V的VDD，從而保(bao)持高(gao)增益和高(gao)效(xiao)率。