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說明
AMCOM的AM005WN-BI-R也是個分立的GaN/SiC HEMT，總門寬為0.5mm毫米。它也是個瓷器廠家裝封，最低事情12千兆赫。Bi系主要包括專項 來設計的瓷器廠家裝封，中含打彎（Bi-G）或直（Bi）引線，主要包括融入式按照的方式。包底下的法蘭部還應用于直流電源地線、rf射頻地線和熱渠道。本的部分非常符合RoHS。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏極=56%@3GHz
表面安裝
有效率排熱的框架

應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
干撓機

示意圖