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CGHV96050F2無定形碳硅高光學遷入率晶狀體管 加盟代理外盤

推出用時(shi):2019-02-22 10:22:17     打開網頁:1762

50 W,7.9 - 9.6 GHz,50歐姆,輸入/傳輸適合GaN HEMT


Wolfspeed的(de)(de)(de)CGHV96050F2是(shi)氫氟(fu)酸(suan)處理硅(SiC)的(de)(de)(de)基板上的(de)(de)(de)氮化(hua)鎵(jia)(GaN)高(gao)(gao)自動化(hua)遷入(ru)率(lv)晶胞管(guan)(HEMT)。與相關新技術相對于,此種GaN室內(nei)相配(IM)FET具備有很棒的(de)(de)(de)最(zui)大(da)功率(lv)扣除熱效(xiao)(xiao)率(lv)。與硅或砷化(hua)鎵(jia)相比(bi)之(zhi)下,GaN含(han)有優良的(de)(de)(de)功能(neng),主要包括更加(jia)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)損壞電流電壓(ya),更加(jia)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)飽合電商漂移(yi)時速(su)和(he)更加(jia)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)傳熱性率(lv)。與GaAs多晶體管(guan)相較,GaN HEMT還出示更強的(de)(de)(de)工作效(xiao)(xiao)率(lv)規(gui)格和(he)更寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)帶寬(kuan)(kuan)使用。該IM FET所采用金(jin)屬件/瓷質(zhi)蝶閥法蘭芯片封(feng)裝,還具有較佳的(de)(de)(de)電器和(he)熱性食物能(neng)。

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV96050F2 1周 300
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特征

  • 80 W POUT典例值


峰(feng)峰(feng)值導出最大功(gong)率 50W
使用 L股(gu)(gu)票波長(chang)/ S股(gu)(gu)票波長(chang)/ X股(gu)(gu)票波長(chang)/ C股(gu)(gu)票波長(chang)/ Ku股(gu)(gu)票波長(chang)
經(jing)典(dian)的熱有效率疊(die)加有效率PAE 55%
主要表現(xian)效(xiao)率(PSAT) 80瓦(wa)
工率(lv)增(zeng)益值 10聲音頻率
作(zuo)業(ye)電(dian)流 40 V
的頻率 7.9 - 9.6 GHz
紙盒包裝型(xing) 輪緣
內外部適合(he) 是 - 50Ω

示意圖

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