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HMC524ALC3B是(shi)一(yi)款緊湊型GaAs MMIC I/Q混(hun)(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)(qi)，采(cai)用符合RoHS標準的(de)無(wu)(wu)引(yin)腳(jiao)SMT陶瓷封裝(zhuang)。 該(gai)器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)可用作鏡像(xiang)(xiang)抑制(zhi)混(hun)(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)(qi)或單(dan)(dan)(dan)邊帶上變頻(pin)器(qi)(qi)(qi)(qi)。 該(gai)混(hun)(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)(qi)采(cai)用兩個(ge)標準雙平衡混(hun)(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)(qi)單(dan)(dan)(dan)元和一(yi)個(ge)90度混(hun)(hun)合器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)，均采(cai)用GaAs MESFET工(gong)藝制(zhi)造。 HMC524ALC3B低頻(pin)正交(jiao)混(hun)(hun)合器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)用于產生100 MHz IF輸出。 該(gai)產品為混(hun)(hun)合型鏡像(xiang)(xiang)抑制(zhi)混(hun)(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)(qi)和單(dan)(dan)(dan)邊帶上變頻(pin)器(qi)(qi)(qi)(qi)組件(jian)(jian)(jian)的(de)小型替代器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)。立維(wei)創展 ADI現貨HMC524ALC3B無(wu)(wu)需線焊，可以(yi)使用表貼制(zhi)造技術(shu)。

HMC524ALC3B應用

• 點對點和點對多點無線電
• VSAT 
• 測試設備和傳感器

• 軍用最終用途

HMC524ALC3B優勢和特點

• 無源：無需直流偏置
• 轉換損耗： 9 dB
• 鏡像抑制： 20 dB（典型值）
• LO至RF隔離：35 dB（典型值）
• LO至IF隔離：25 dB（典型值）
• IP3：18 dBm（典型值）
• P1dB：17 dBm（典型值）
• 中頻引腳頻率：DC ? 4.5 GHz
• 12引腳、3 mm × 3 mm SMT陶瓷封裝

HMC524ALC3B結構圖