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HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻(pin)器(qi)(qi)，工作頻(pin)率范(fan)圍(wei)為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此(ci)器(qi)(qi)件提供(gong) 15 dB 的(de)(de)小(xiao)信(xin)號轉換增益(yi)，以(yi)(yi)及 22 dBc 的(de)(de)邊(bian)帶(dai)抑制。HMC6505A 在可變增益(yi)放大器(qi)(qi) (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混頻(pin)器(qi)(qi)，該混頻(pin)器(qi)(qi)由主動本地振蕩器(qi)(qi) (LO) 驅動。提供(gong) IF1 和 IF2 混頻(pin)器(qi)(qi)輸入，并(bing)需(xu)要(yao)(yao)采用外部 90° 混合(he)模式選(xuan)擇所(suo)需(xu)的(de)(de)邊(bian)帶(dai)。I/Q 混頻(pin)器(qi)(qi)拓撲(pu)結構減少了對不(bu)必要(yao)(yao)的(de)(de)邊(bian)帶(dai)進行過濾的(de)(de)需(xu)要(yao)(yao)。HMC6505A 是混合(he)式單邊(bian)帶(dai) (SSB) 升頻(pin)器(qi)(qi)組件的(de)(de)小(xiao)型(xing)替代方案，它可以(yi)(yi)使用表(biao)面安裝制造(zao)技術(shu)，這消(xiao)除了對引線鍵合(he)的(de)(de)需(xu)要(yao)(yao)。

HMC6505A應用

• 點到點和單點對多點無線電
• 軍用雷達、電子戰 (EW) 和電子智能 (ELINT)
• 衛星通信

• 傳感器

HMC6505A優勢和特點

• 轉換增益：15 dB（典型值）
• 邊帶抑制：22 dBc（典型值）
• 增益最大時的輸出 P1dB 壓縮：22 dBm（典型值）
• 增益最大時的輸出 IP3：35 dBm（典型值）
• LO 到 RF 隔離：4 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔離：9 dB（典型值）
• RF 回波損耗：20 dB（典型值）
• LO 回波損耗：10 dB（典型值）
• IF 回波損耗：20 dB（典型值）
• 裸焊盤，5 mm × 5 mm，32 端子，無引線芯片載體封裝

HMC6505A結構圖