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AMCOM離散效率GaN HEMT微波射頻晶胞管

發表周期:2020-08-27 16:10:31     打開網頁:2180

AMCOM是全球半導體微波設計領先企業,是機(ji)器(qi)(qi)設備/MMIC封裝,功能(neng)(neng)模塊組裝和(he)(he)RF/DC檢測領域的(de)專家,AMCOM的(de)產品涵蓋功率FET,MMIC功率放大器(qi)(qi)及其(qi)帶有(you)rf射頻和(he)(he)直流(liu)電連(lian)接器(qi)(qi)的(de)高功率放大器(qi)(qi)功能(neng)(neng)模塊。AMCOM離散耗油率GaNHEMTrf射頻多晶體管有著先進(jin)的(de)平面曲(qu)線和光(guang)纖寬帶優(you)勢可言,有時能充分地充分利用更優(you)質的(de)高瓦數密度(du)高的(de)計(ji)算(suan)和輸出的(de)的(de)效率。

GaN是一種種十分固定(ding)的類化合物,包括極強的氧分子(zi)鍵、高(gao)(gao)的熱導(dao)率、最底(di)的電離度和優異的檢查是否固相關性(xing),這會使GaN集成電路(lu)芯(xin)片(pian)比Si和GaAs具備有(you)更強的抗(kang)電磁輻射力。另(ling)外(wai),GaN都是種高(gao)(gao)融點、高(gao)(gao)導(dao)電性(xing)的文件。GaN輸(shu)出功率電子(zi)元(yuan)器件往(wang)往(wang)以SiC為(wei)襯底(di),有(you)著好的熱導(dao)率,因而GaN瓦數(shu)元(yuan)器有(you)著較(jiao)高(gao)(gao)的結溫潤氣溫作業意識(shi)。

GaN高電子(zi)技術知(zhi)識率多晶體管(HEMT)己成為5G較大型通信基站耗油(you)率縮放器的主要備選技術性(xing),仍然(ran)其原有的高擊穿相電壓(ya)相電壓(ya)、高耗油(you)率比熱容、大上行速率和使(shi)用率高率,已然(ran)為5 G移動基站優先半導體行(xing)業技術水平。

南(nan)京市(shi)立維(wei)創展(zhan)社會AMCOM零售商(shang)商(shang)工(gong)程專業可以提供AMCOM產品的(de)一系列涉及:微(wei)波射頻結晶管、MMIC瓦數調(diao)(diao)大(da)器(qi)、比(bi)調(diao)(diao)調(diao)(diao)大(da)器(qi)版塊、移動寬帶(dai)(dai)調(diao)(diao)大(da)器(qi)、高瓦數調(diao)(diao)大(da)器(qi)版塊、帶(dai)(dai)RFDC拼(pin)接器的高(gao)電(dian)電(dian)機(ji)功(gong)(gong)率拖(tuo)動器輸出模(mo)塊和工作噪音小污染(ran)拖(tuo)動器,電(dian)電(dian)機(ji)功(gong)(gong)率拖(tuo)動器,控制開關(guan),衰減器,移相器與上/下側定(ding)頻器(qi)的定(ding)做等,服務原廠德國,產品(pin)品(pin)質要確(que)保,邀(yao)請了解。

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 AMCOM.jpg

離(li)散耗油率GaN HEMT

模板

頻率(GHz)

最(zui)大頻率(GHz)

增益(dB)

P1音貝(bei)(dBm)

峰值(dBm)

偏差(V)

AM050WN-CU-R

直流電電

6

16.5

41.7

43

-14

AM100WN-CU-R

電流電

6

14

44.5

46

-14

AM025WN-BI-R

直流電壓電

8

16

38.9

40

-14

AM012WN-BI-R

電流電

10

17

36.1

37

-14

AM005WN-BI-R

直流電壓電

12

15

32

33.5

-14

AM012WN-00-R

直流電電

15

22

36.1

37.7

-14

AM025WN-00-R

直流變壓器電

15

21

38.9

40.5

-14

AM050WN-00-R

直流電壓電

15

20

41.7

43.3

-14

AM100WN-00-R

交流電電

15

19

44.5

46.1

-14

AM005WN-00-R

交流電電

18

23

32

33.4

-14


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