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Custom MMIC分立尖晶石管GAAS PHEMT

發布公告用時:2021-12-10 17:02:33     預(yu)覽:1229

Custom MMIC采用我們最領先的超低噪聲0.15μmp HEMT和0.25μmE-p HEMT工藝(yi)技術提供各種各樣(yang)分立晶體管組件。Custom MMIC分(fen)立(li)(li)晶體(ti)管GAASPHEMT允許客戶在設計低噪聲放大(da)器(LNA)電(dian)源電(dian)路時(shi)完全控制。各種各樣分(fen)立(li)(li)式FET提供低至0.15dB的NF(最(zui)小值),并(bing)可在高(gao)達22GHz的工作頻(pin)率下使用。Custom MMIC還提供相匹配對(dui)晶體管(guan),特(te)別適(shi)合(he)平衡LNA設計方案(an)。

大部分結構特征

極低背景(jing)噪聲彈(dan)性系(xi)數–低至0.15dBNF(世界上最大值)

可(ke)具備(bei)裸片或封裝(zhuang)款式款式;

使用行業

光纖通信移(yi)動移(yi)動通信基站;

民防通迅;

點對(dui)點通信(PtP)無線路由電

鄭(zheng)州市立維創展科(ke)技公司(si)是CUSTOM MMIC的生產商商,立維創展督促選購能夠滿足要的最適合的的MMIC優(you)化系統徽波(bo)rf微波(bo)射(she)(she)頻(pin)rf微波(bo)射(she)(she)頻(pin)手機信號鏈(lian)。CUSTOM MMIC一個(ge)齊(qi)全(quan)性的ISO認證證書和(he)之類型旅(lv)行絕佳(jia)MMICs代理商商。現貨供應(ying)快速擴大的高功能rf射(she)(she)頻(pin)/微波(bo)通信微波(bo)射(she)(she)頻(pin)MMIC車輛題(ti)材。

 Custom MMIC分立晶體管GAAS PHEMT

Part #

Frequency Min
MHz

Frequency Max
MHz

Gain
dB

OP1dB
dBm

Psat
dBm

NF
dB

PAE
%

Vd
V

Idq
mA

QPD2018D

DC

20,000

14

22

22

1

55

8

29

QPD2025D

DC

20,000

14

24

24

0.9

58

8

40

QPD2040D

DC

20,000

13

26

26

1.1

55

8

65

QPD2060D

DC

20,000

12

28

28

1.4

55

8

97

QPD2080D

DC

20,000

11.5

29.5

29.5

1

56

8

130

QPD2120D

DC

20,000

11

31

31

1

57

8

194

QPD2160D

DC

20,000

10.4

32.5

32.5

1

63

8

258

TQP3M6005

1,700

2,000

17.9

21.6


0.36


4.5

50


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