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發布公告用時:2021-12-10 17:02:33 預(yu)覽:1229
Custom MMIC采用我們最領先的超低噪聲0.15μmp HEMT和0.25μmE-p HEMT工藝(yi)技術提供各種各樣(yang)分立晶體管組件。Custom MMIC分(fen)立(li)(li)晶體(ti)管GAASPHEMT允許客戶在設計低噪聲放大(da)器(LNA)電(dian)源電(dian)路時(shi)完全控制。各種各樣分(fen)立(li)(li)式FET提供低至0.15dB的NF(最(zui)小值),并(bing)可在高(gao)達22GHz的工作頻(pin)率下使用。Custom MMIC還提供相匹配對(dui)晶體管(guan),特(te)別適(shi)合(he)平衡LNA設計方案(an)。
大部分結構特征
極低背景(jing)噪聲彈(dan)性系(xi)數–低至0.15dBNF(世界上最大值);
可(ke)具備(bei)裸片或封裝(zhuang)款式款式;
使用行業
光纖通信移(yi)動移(yi)動通信基站;
民防通迅;
點對(dui)點通信(PtP)無線路由電;
鄭(zheng)州市立維創展科(ke)技公司(si)是CUSTOM MMIC的生產商商,立維創展督促選購能夠滿足要的最適合的的MMIC優(you)化系統徽波(bo)rf微波(bo)射(she)(she)頻(pin)rf微波(bo)射(she)(she)頻(pin)手機信號鏈(lian)。CUSTOM MMIC一個(ge)齊(qi)全(quan)性的ISO認證證書和(he)之類型旅(lv)行絕佳(jia)MMICs代理商商。現貨供應(ying)快速擴大的高功能rf射(she)(she)頻(pin)/微波(bo)通信微波(bo)射(she)(she)頻(pin)MMIC車輛題(ti)材。

Part # | Frequency Min | Frequency Max | Gain | OP1dB | Psat | NF | PAE | Vd | Idq |
QPD2018D | DC | 20,000 | 14 | 22 | 22 | 1 | 55 | 8 | 29 |
QPD2025D | DC | 20,000 | 14 | 24 | 24 | 0.9 | 58 | 8 | 40 |
QPD2040D | DC | 20,000 | 13 | 26 | 26 | 1.1 | 55 | 8 | 65 |
QPD2060D | DC | 20,000 | 12 | 28 | 28 | 1.4 | 55 | 8 | 97 |
QPD2080D | DC | 20,000 | 11.5 | 29.5 | 29.5 | 1 | 56 | 8 | 130 |
QPD2120D | DC | 20,000 | 11 | 31 | 31 | 1 | 57 | 8 | 194 |
QPD2160D | DC | 20,000 | 10.4 | 32.5 | 32.5 | 1 | 63 | 8 | 258 |
TQP3M6005 | 1,700 | 2,000 | 17.9 | 21.6 | 0.36 | 4.5 | 50 |