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Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術(shu)提供多種多樣的分(fen)立(li)(li)晶(jing)體管組件。QORVO分(fen)立(li)(li)晶(jing)體管GAAS PHEMT接受用戶(hu)在設(she)計(ji)低噪聲放大器(LNA)電源(yuan)電路時完全控制。各類分立FET提供低至0.15dB的NF（最小值），最高(gao)可采用22GHz。還提供匹配晶體管，特別(bie)適(shi)合平衡LNA設(she)計(ji)。

大部分特別

較(jiao)低(di)噪聲污染常數——低(di)至0.15dBNF（最高值）

打造裸片或封口模式

應用范疇

通訊技術基站天線

航空航天電訊

點到(dao)點(PtP)有線(xian)電

河南(nan)市立維(wei)創展(zhan)科技(ji)開發是QORVO的銷售商(shang)，最主要帶(dai)來了(le)QORVO額定(ding)功率(lv)縮放器，   IC和(he)裸處(chu)理器，立維(wei)創展(zhan)具(ju)有增強的生產校園營銷渠道，定(ding)價優(you)越，并大批常備現(xian)貨(huo)平臺貨(huo)存，感(gan)謝詳詢(xun)。

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