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氮化鎵具備優質的耐高溫性，因此氮化鎵制成的電力電子產品幾乎不需要制冷。晶體管主要是由硅制作而成，應用在高壓線路中計算和提高電子器件射頻信號。

GaN工作電(dian)壓尖晶石管大(da)多數(shu)是L和(he)(he)(he)Sk線預警雷達系統性斜線性和(he)(he)(he)減少工作功(gong)率(lv)調大(da)器(qi)的(de)有源(yuan)電(dian)子器(qi)件。GaN工率(lv)結晶體(ti)管根(gen)據(ju)其低精力耗電(dian)量和(he)(he)(he)高(gao)(gao)工率(lv)比(bi)熱(re)容，在(zai)電(dian)氣光電(dian)范疇的(de)軟件用途(tu)愈來愈越重視。它(ta)可軟件用途(tu)在(zai)南航(hang)光電(dian)、商(shang)業性服(fu)務培訓、工業化的(de)生(sheng)產方式、醫遼(liao)機(ji)和(he)(he)(he)國防教(jiao)育軍事科學范疇的(de)線路圖和(he)(he)(he)整(zheng)體(ti)中的(de)各種類型(xing)軟件用途(tu)范疇。同旁(pang)內角都(dou)的(de)使用寬帶網(wang)絡隙GaN半導建筑材料的(de)耐腐蝕(shi)性，在(zai)小(xiao)封(feng)裝形(xing)式中達成了遵循高(gao)(gao)輸(shu)送(song)最(zui)大(da)功(gong)率(lv)容重和(he)(he)(he)高(gao)(gao)輸(shu)送(song)輸(shu)送(song)最(zui)大(da)功(gong)率(lv)電(dian)平的(de)RF/微波射頻(pin)結晶體(ti)管。

UMS提供數據(ju)依據(ju)ASIC或文件物品的(de)(de)全(quan)部來(lai)報價，關鍵來(lai)源于司室內的(de)(de)III-V的(de)(de)技術(shu)，并帶(dai)來(lai)全(quan)部的(de)(de)紙質合(he)同服(fu)務培訓，使合(he)作方要(yao)(yao)進行建立她的(de)(de)貨品解決辦法設計方案。UMS從(cong)DC到100 GHz的(de)(de)那(nei)些根目錄(lu)產品的(de)(de)全(quan)部都是根據(ju)GaAs、GaN、SiGe的(de)(de)技術(shu)，包(bao)擴達(da)到200 W的(de)(de)額定功(gong)率放(fang)小(xiao)器、混合(he)式信息(xi)功(gong)效(xiao)、特低燥(zao)音放(fang)小(xiao)器和(he)完(wan)正(zheng)的(de)(de)接收器裝置(zhi)。UMS軟件以(yi)(yi)管芯(xin)的(de)(de)主要(yao)(yao)風格保證(zheng)，但平常(chang)以(yi)(yi)多處(chu)理器組件的(de)(de)主要(yao)(yao)風格封裝類型。

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