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GaN材料是(shi)第三代半(ban)導(dao)體(ti)(ti)的(de)典型代表(biao)，具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱(re)導(dao)率(lv)和(he)(he)高峰(feng)值電(dian)子漂移速度等優質性能。因此，GaN材料可以很好地滿足耐(nai)高溫、高頻率(lv)和(he)(he)功率(lv)大(da)的(de)工作要求，GaN功率(lv)晶體(ti)(ti)管一(yi)直是(shi)L和(he)(he)S波段(duan)雷(lei)達系(xi)統中(zhong)線性和(he)(he)壓(ya)縮功率(lv)放大(da)器的(de)有源(yuan)元件。Gan功率(lv)晶體(ti)(ti)管可用(yong)(yong)作航空電(dian)子、商業服(fu)務、工業生產、醫(yi)療設備和(he)(he)國(guo)防軍事用(yong)(yong)途的(de)電(dian)路(lu)和(he)(he)系(xi)統中(zhong)的(de)各種應用(yong)(yong)。它們都通過寬帶gap GaN半導(dao)體材(cai)料(liao)的作用，在小封裝中產生高功(gong)率密度(du)和(he)高輸出功(gong)率電平的RF/微波晶(jing)體管

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