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CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標；包括更高電壓擊穿；更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還保證更高功(gong)率密度和更寬的帶寬。C波段GaN MMIC功率放大器(qi)CMPA0060002CREE選用分布式(shi)(shi)(shi)（行波）放大器(qi)設計方法；能夠在極(ji)小的空(kong)間(jian)內完成極(ji)寬的帶寬。保證(zheng)裸片和(he)具有銅鎢熱管散熱器(qi)的旋(xuan)入式(shi)(shi)(shi)封裝形式(shi)(shi)(shi)。

CREE的Ck線(xian)GaN MMIC電率縮放器CMPA0060002兼具(ju)2-W;20-MHz-6000-MHz；GaN MMIC額定功率(lv)變(bian)成器。

表現

17dB小(xiao)無線信號增加收益值

3W精品(pin)PSAT

額定值輸出功率可以達到(dao)28V

高端電壓穿透

高溫作業度實際操作

選用

超長(chang)帶圖像電壓放大器(qi)

微信網絡光釬驅動器

試驗機器

EMC縮放(fang)器(qi)驅(qu)動包器(qi)

CREE（科(ke)銳(rui)(rui)）注冊成立于1987年，CREE科(ke)銳(rui)(rui)具(ju)備(bei)著305年的(de)(de)聯(lian)通寬(kuan)帶(dai)(dai)GAP鋼筋取(qu)樣料(liao)和什么是(shi)創新(xin)產品(pin)(pin)，CREE科(ke)銳(rui)(rui)都是(shi)個詳盡的(de)(de)設定(ding)企業(ye)合作夥伴，遵循頻射的(de)(de)要，CREE科(ke)銳(rui)(rui)為(wei)行同行業(ye)系統優勢(shi)的(de)(de)電腦(nao)機 出(chu)示更強(qiang)的(de)(de)工作電壓(ya)和更低的(de)(de)的(de)(de)功(gong)能消耗。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由最剛開始的(de)(de)GaN基(ji)(ji)本材料(liao)LED商品(pin)(pin)技能當先全(quan)生活，到(dao)紅外(wai)光微(wei)(wei)波(bo)(bo)射頻與(yu)mm波(bo)(bo)基(ji)(ji)帶(dai)(dai)芯片(pian)商品(pin)(pin)，CREE科(ke)銳(rui)(rui)于2017年剝離(li)出(chu)微(wei)(wei)波(bo)(bo)微(wei)(wei)波(bo)(bo)射頻微(wei)(wei)波(bo)(bo)射頻項目Wolfspeed，以(yi)光纖(xian)寬(kuan)帶(dai)(dai)、大額定(ding)功(gong)率變小器新(xin)產品(pin)(pin)為(wei)獨(du)特(te)。

東莞(guan) 市(shi)立維創展(zhan)科技發展(zhan)是CREE的生產商商，享有CREE微波通信元器優勢與劣勢交貨(huo)(huo)途徑(jing)，并長時間貨(huo)(huo)源現貨(huo)(huo)平(ping)臺，以備不時之需中華銷售市(shi)場(chang)標(biao)準。

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