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C頻譜氮化鎵 HEMT CG2H80015D CREE

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Wolfspeed的CG2H80015D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能參數;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子偏移速度;和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT提供(gong)更(geng)高(gao)的功率因素和更(geng)寬的帶寬。

特征英文

15W典型(xing)性PSAT

28伏控制

高損壞場強

高溫天氣調節

高至8GHz的(de)遠程控(kong)制

工作高效率

應用

2路自身(shen)錄音機

移動寬帶變大器

蜂窩基礎框架制作

軟件測試設備

ClassA;AB;包(bao)括應用在OFDM的波形縮放器;W-CDMA;邊沿;CDMA波型

CREE(科(ke)銳(rui)(rui))創(chuang)立于1987年,CREE科(ke)銳(rui)(rui)具備(bei)30多年的的寬(kuan)帶網(wang)絡GAP原建筑材料料和創(chuang)新發展成品(pin)(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)也是(shi)個(ge)詳細(xi)完整的設置(zhi)協議(yi)火伴,貼合頻(pin)射的實際需求,CREE科(ke)銳(rui)(rui)為(wei)行在(zai)(zai)業(ye)內技藝世界領先(xian)的系(xi)統系(xi)統出示(shi)更(geng)強的公(gong)率(lv)(lv)和更(geng)低的效果自然損耗。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由最現(xian)在(zai)(zai)開始的GaN板材LED類商品(pin)(pin)新技術領先(xian)地位(wei)全市場,到微波(bo)通信rf射頻(pin)與分(fen)米波(bo)存儲芯(xin)片類商品(pin)(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)于2017年分(fen)割出徽(hui)波(bo)微波(bo)射頻(pin)牌子Wolfspeed,以移動寬(kuan)帶、大最大功率(lv)(lv)電源變大器物料為(wei)標(biao)志性。

南京(jing)市(shi)(shi)立(li)維創展科技開發是(shi)CREE的生產商(shang)商(shang),獲得CREE紅(hong)外光功率器件資(zi)源優(you)勢采購營銷渠道,并長期的庫存管理外盤,以作華人餐飲市(shi)(shi)場(chang)供需。

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 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80015D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

15 W

>12 dB

70%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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