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公布(bu)時候:2022-08-15 17:02:49 閱讀:1284
Wolfspeed的CMPA0060025是種基于氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比較,氮化鎵具備優異的性能參數。
另外涉及到(dao)相對應較(jiao)(jiao)高(gao)的穿(chuan)透線電壓;較(jiao)(jiao)高(gao)的過飽和(he)電子技術漂移的速(su)度和(he)較(jiao)(jiao)高(gao)的傳熱(re)性彈性系數。與(yu)Si和(he)GaAs尖晶石管(guan)相對于較(jiao)(jiao),GaNHEMTs還(huan)可以提供了更(geng)有效(xiao)的熱(re)效(xiao)率溶解度和(he)更(geng)寬的服務器帶寬。CMPA0060025可能在比較(jiao)(jiao)小的余地中達(da)到(dao)相同寬的帶寬的配置。
的特征
18dB小表現增益(yi)控制值
30W精品PSAT
崗位的電壓高至50V
高損壞端電壓
低溫度運用
技術應用
加寬帶放小器
測式儀器
EMC變(bian)成器控制(zhi)器器
CREE(科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui))組建(jian)于1987年,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)必(bi)備30歷經多年的(de)(de)網絡(luo)帶寬GAP鋼筋取樣料和特色化產(chan)品設(she)備,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)是一個個完(wan)好(hao)的(de)(de)結構(gou)設(she)計達成合作好(hao)伙伴,非常符(fu)合微波射頻的(de)(de)要求,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)為行行業內高技術世界(jie)領先(xian)的(de)(de)電(dian)腦(nao)生產(chan)設(she)備打造更強的(de)(de)額(e)定(ding)功率(lv)和更低的(de)(de)用途消(xiao)耗的(de)(de)資金。CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)由最(zui)始于的(de)(de)GaN基面(mian)材料LED物料工藝更優(you)全這(zhe)個世界(jie),到徽波rf射頻與厘米波電(dian)子器件(jian)物料,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)于2017年分開(kai)出微波通信rf射頻品牌標志Wolfspeed,以(yi)網絡(luo)帶寬、大額(e)定(ding)功率(lv)縮放(fang)器服(fu)務為特點。
河南(nan)市(shi)立維創展技(ji)術是(shi)CREE的銷售商,得到CREE微波加熱電子(zi)元件的優勢供貨(huo)期分銷渠道,并繼續庫存(cun)盤(pan)點現貨(huo)平臺,以供中市(shi)揚標(biao)準。
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設備 SKU | 系統 | 至少頻率 | 比(bi)較大的頻率 | 基線輸送工作效率 | 擁(yong)有(you) | 使用率 | 事情(qing)交流電(dian)壓 | 形勢 | 進行(xing)包裝(zhuang)多種(zhong)類型(xing) |
CMPA0060025D | 炭(tan)化硅上的氮化鎵(jia) | DC | 6GHz | 25 W | 18dB | 33% | 50 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA0060025F | 氧化(hua)硅上的(de)氮(dan)化(hua)鎵(jia) | DC | 6GHz | 25 W | 17dB | 28% | 50 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA0060025F-AMP | 無(wu)定(ding)形(xing)碳硅上的(de)氮化鎵 | DC | 6GHz | 25 W | 17dB | 28% | 50 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA0060025F1-AMP | 增碳硅(gui)上(shang)的氮化鎵 | DC | 6GHz | 25 W | 17dB | 28% | 50 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA0060025F1 | 炭(tan)化硅上的氮化鎵 | DC | 6GHz | 25 W | 17dB | 28% | 50 V | Packaged MMIC | Flange |