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C頻譜氮化鎵 HEMT調小器CGHV1F025 CREE

分(fen)享(xiang)時期(qi):2022-08-17 16:53:17     瀏覽記錄:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技(ji)術應用。數據規格基于(yu)x波段(8.9-9.6GHz)放(fang)大器(qi)。

CGHV1F025S運營管(guan)理在(zai)40伏鐵(tie)路(lu)交通道岔上,裝封在(zai)3mmx4mm;面裝配;雙扁(bian)長(chang)無接地線(DFN)芯片(pian)封裝。極(ji)大減(jian)少(shao)了額定功率;CGHV1F025能能從40V至20VVDD電流(liu)下操作;始終維持(chi)高收(shou)獲(huo)和高效化率。

癥狀

高(gao)達到(dao)15GHz的操(cao)作

25W舉例輸(shu)入效率(lv)

9.4GHz時11dB增(zeng)益值(zhi)值(zhi)

8.9–9.6GHz的(de)系統(tong)利用(yong)三(san)極管

應用軟件

L;S;C;X 和Ku中波段變成器

CREE(科(ke)(ke)銳(rui))揭牌于1987年(nian),CREE科(ke)(ke)銳(rui)兼具30很多年(nian)的(de)(de)移動寬帶GAP原文件(jian)料和研發貨(huo)品,CREE科(ke)(ke)銳(rui)是一(yi)個(ge)個(ge)完整性的(de)(de)來設(she)計聯(lian)合好(hao)伙伴,符合要求(qiu)頻射(she)的(de)(de)業務需求(qiu),CREE科(ke)(ke)銳(rui)為行業內人(ren)士能力世(shi)界(jie)領(ling)先的(de)(de)POS機的(de)(de)設(she)備提供(gong)了更(geng)強的(de)(de)效率和更(geng)低的(de)(de)特點自然損耗(hao)。CREE科(ke)(ke)銳(rui)由最現在開始(shi)的(de)(de)GaN材(cai)料LED好(hao)產品設(she)備工藝世(shi)界(jie)各國領(ling)先全(quan)世(shi)界(jie)各國,到徽波(bo)(bo)微波(bo)(bo)射(she)頻與公厘波(bo)(bo)電(dian)子器(qi)件(jian)好(hao)產品設(she)備,CREE科(ke)(ke)銳(rui)于2017年(nian)剝離 出微波(bo)(bo)加(jia)熱微波(bo)(bo)射(she)頻品牌標志Wolfspeed,以網(wang)絡(luo)帶寬、大(da)馬力調大(da)器(qi)服務為的(de)(de)特色。

廣(guang)州 市立(li)維創展創新科技是(shi)CREE的經售商(shang),收獲(huo)CREE微波射(she)頻(pin)功率器件優勢與劣勢供應產品線(xian),并長期(qi)的庫存商(shang)品現貨平(ping)臺(tai),僅作我們(men)行業(ye)意愿。

內容詢問CREE紅外光射頻紅外光請打開網頁://m.takasago.net.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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