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Wolfspeed的CMPA601C025以氮化鎵為質粒載體(GaN)晶狀體管兼備較高光學搬遷率(HEMT)單支紅外光整合電路設計(MMIC),仍處于炭化硅襯底上;用到0.25-μm柵極間距的技術加工。與硅較之較,SiC上的GaN的性能更強;GaAs或GaNonSi;帶有高的穿透場強、高的飽和狀態電子元器件漂移的快慢高的導電公式。與Si相信較,GaNHEMT還打造了越高的效率密度計算和更寬的頻段屏幕寬度匹配;GaAs;和GaNonSi結晶管。CMPA601C025無功耗油率連接變小器的定制方法都可以確保極其寬的頻帶凈寬凈寬。
特色
34dB小數據(ju)信號收獲值
40W典型性(xing)PSAT
電(dian)壓電(dian)流高達獨角獸28V
高電壓擊穿場強
app
干撓調小器
加測機械縮放器
寬帶網絡變大器
雷達天線放縮器
CREE(科銳(rui)(rui)(rui)(rui))揭(jie)牌于1987年,CREE科銳(rui)(rui)(rui)(rui)滿(man)足30多年的(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)聯通寬帶(dai)GAP原料(liao)料(liao)和的(de)(de)(de)(de)創新好(hao)產(chan)品(pin),CREE科銳(rui)(rui)(rui)(rui)是一個個詳(xiang)盡的(de)(de)(de)(de)裝(zhuang)修設計(ji)合作方式(shi)好(hao)伙伴,合適頻(pin)(pin)射(she)的(de)(de)(de)(de)實(shi)際需求(qiu),CREE科銳(rui)(rui)(rui)(rui)為行(xing)業界技術工藝精英型的(de)(de)(de)(de)機器設施設施展示更(geng)強的(de)(de)(de)(de)電(dian)率和更(geng)低(di)的(de)(de)(de)(de)功用衰減。CREE科銳(rui)(rui)(rui)(rui)由最(zui)進行(xing)的(de)(de)(de)(de)GaN基本的(de)(de)(de)(de)材質材料(liao)LED護(hu)膚品(pin)方法(fa)先(xian)進全生活,到(dao)微(wei)(wei)波(bo)加熱微(wei)(wei)波(bo)射(she)頻(pin)(pin)與毫米左(zuo)右波(bo)單(dan)片機芯(xin)片護(hu)膚品(pin),CREE科銳(rui)(rui)(rui)(rui)于2017年分離法(fa)出(chu)徽波(bo)頻(pin)(pin)射(she)該(gai)品(pin)牌Wolfspeed,以移動寬帶(dai)、大輸出(chu)功率擴大器產(chan)品(pin)為的(de)(de)(de)(de)特色。
成都(dou) 市立維創展科技(ji)發展是CREE的生(sheng)產(chan)商(shang)商(shang),具備CREE微(wei)波射(she)頻元器件長處要貨(huo)業務,并長時間庫(ku)存盤(pan)點外盤(pan),以作我(wo)國行業市場訴求。
商品詳情明白CREE頻射微波加熱請打開網頁://m.takasago.net.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA601C025D | GaN on SiC | 6 GHz | 12 GHz | 25 W | 32 dB | 32% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA601C025F-AMP | GaN on SiC | 6 GHz | 12 GHz | 25 W | 33 dB | 32% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA601C025F | GaN on SiC | 6 GHz | 12 GHz | 25 W | 33 dB | 32% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |