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CG2H40035 C頻譜微波射頻工率GaN HEMT CREE

公(gong)布時(shi)候:2022-10-10 16:47:10     觀看:875

Wolfspeed的CG2H40035是無可挑剔的;氮化鎵(GaN)高電子為了滿足電子時代發展的需求,知識率結晶體管(HEMT)。CG2H40035安全使用在28伏的發展軌道中;打造基本上廣泛應用各個領域;各方面徽波rf射頻和徽波利用光纖寬帶緩解預案。CG2H40035高效、性價比最高率;高收獲和帶寬安全性能使CG2H40035作為線行和減小最大功率調大電線的合適選澤。CG2H40035晶狀體管最主要的有兩大類防松螺栓風格;蝶閥法蘭封裝形式及點焊;藥丸式二極管封裝。

優點

輸(shu)出的工作電壓達到(dao)了(le)6GHz

40W一般PSAT

PSAT吸收率(lv)為(wei)64%

3.5GHz時(shi)14dB小衛(wei)星信號增加收益值(zhi)

28V控制

應用軟件

橫(heng)向專用(yong)箱型車載(zai)收(shou)音機

寬帶網絡縮放器

蜂窩前提配套設施設計

自測儀器

ClassA;AB;首要用以OFDM的平面(mian)曲線(xian)變(bian)成(cheng)器;W-CDMA;EDGE(邊界);CDMA波型

CREE(科(ke)(ke)銳(rui)(rui))注冊成(cheng)立于(yu)1987年,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)有305年的(de)(de)光(guang)纖(xian)寬(kuan)帶GAP鋼筋取樣(yang)料和(he)自主(zhu)創新(xin)商品(pin)(pin)(pin)設(she)備(bei)(bei),CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)都是個(ge)完整性的(de)(de)制作(zuo)合作(zuo)共贏伙伴們,契合頻(pin)射的(de)(de)各種需求,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)為(wei)(wei)行業內人(ren)士技(ji)(ji)術(shu)專用(yong)(yong)設(she)備(bei)(bei)更優的(de)(de)機(ji)器(qi)專用(yong)(yong)設(she)備(bei)(bei)專用(yong)(yong)設(she)備(bei)(bei)供應(ying)更強的(de)(de)輸出功率(lv)和(he)更低的(de)(de)性能損耗量。CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)由最(zui)剛開(kai)始(shi)的(de)(de)GaN基本(ben)的(de)(de)材(cai)質材(cai)料LED物品(pin)(pin)(pin)的(de)(de)技(ji)(ji)術(shu)領跑全宇宙,到(dao)紅外(wai)光(guang)rf射頻(pin)與(yu)亳米波集成(cheng)電(dian)路芯片物品(pin)(pin)(pin),CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)于(yu)2017年溶合出微波加熱頻(pin)射國(guo)產品(pin)(pin)(pin)牌Wolfspeed,以寬(kuan)帶網、大公(gong)率(lv)拖動器(qi)廠(chang)品(pin)(pin)(pin)為(wei)(wei)代表性。

西安市立維創展(zhan)科技信息是CREE的經銷處商,都有CREE微波射頻配件優越供(gong)貨(huo)期渠道方式,并繼(ji)續庫存(cun)管理外盤,僅作全國市場上需求量(liang)。

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CG2H40035.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H40035F-AMP1

GaN on SiC

0.5 GHz

3 GHz

35 W

14 dB

50%

28 V

Evaluation Board

Flange

CG2H40035P

GaN on SiC

DC

6 GHz

35 W

14 dB

64%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CG2H40035F-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

35 W

14 dB

64%

28 V

Evaluation Board

Flange

CG2H40035F

GaN on SiC

DC

6 GHz

35 W

14 dB

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Packaged Discrete Transistor

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