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CG2H80030D Ck線晶狀體管CREE

上架(jia)準確時間:2022-10-13 16:45:46     查(cha)看:843

Wolfspeed的CG2H80030D是種氮化鎵(GaN)高電商滲透率晶狀體管(HEMT)。與硅或砷化鎵優于較,氮化鎵有著優秀的性目標;收錄對比較高的穿透場強;對比較高的飽和點光電子漂移進程;以及對比較高的制熱標準值。與Si和GaAs單晶體管相比較較,CG2H80030D有相對來說較高的電功率相對密度和更寬的傳輸速率。

的特征

30W關鍵PSAT

28V操控性

高熱擊穿場強

繼續高溫高壓把控

效果馬力高至8GHz

的效率率

軟件應用

交叉專業級型cd機

聯(lian)通寬帶圖像(xiang)放大(da)器電路

蜂窩理論(lun)知識安全設施(shi)構(gou)建

測試軟件機

Class A; AB; 適于于OFDM的線形放小器;W-CDMA;EDGE(非核心);CDMA波(bo)型

CREE(科(ke)(ke)銳(rui)(rui))確立于1987年,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)具備條(tiao)件30這么多年的(de)(de)(de)移(yi)動寬帶GAP原料(liao)料(liao)和創(chuang)新(xin)技術(shu)服(fu)務,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)就是個詳(xiang)盡的(de)(de)(de)來設計的(de)(de)(de)合作夥伴(ban),具有微波(bo)射(she)頻(pin)(pin)的(de)(de)(de)需要,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)為行同行業水平更優的(de)(de)(de)產品系統提供數(shu)據更強的(de)(de)(de)電(dian)機(ji)功(gong)率(lv)和更低的(de)(de)(de)職能耗(hao)費。CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)由最就開始(shi)的(de)(de)(de)GaN基本的(de)(de)(de)材質(zhi)材料(liao)LED廠(chang)品新(xin)技術(shu)最前沿全球各地(di)里(li),到微波(bo)頻(pin)(pin)射(she)頻(pin)(pin)射(she)與(yu)亳米(mi)波(bo)基帶芯片(pian)廠(chang)品,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)于2017年轉(zhuan)移(yi)出徽波(bo)微波(bo)射(she)頻(pin)(pin)企業Wolfspeed,以寬帶網、大(da)電(dian)率(lv)變成器產品的(de)(de)(de)為一大(da)特色(se)。

北京(jing)市(shi)立維創(chuang)展(zhan)信(xin)息技術(shu)是CREE的(de)銷售商,賦予CREE徽波元(yuan)器優勢(shi)供貨周期(qi)的(de)渠(qu)道(dao),并(bing)經常性庫存盤點(dian)現貨平臺(tai),以便國內(nei)市(shi)場中所需。

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CG2H80030D.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80030D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

30 W

16.5 dB

65%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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