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CREE PTVA120501EA的(de)(de)(de)LDMOSFET結構設計(ji)適用(yong)于1200至1400MHz頻(pin)率段的(de)(de)(de)功率放大(da)器應(ying)用(yong)領域。特性(xing)(xing)包(bao)括高(gao)增益和帶螺母固(gu)定法蘭盤的(de)(de)(de)熱(re)高(gao)性(xing)(xing)能封裝形式。PTVA120501EA-V1選用(yong)Wolfspeed領先的(de)(de)(de)LDMOS工藝技術(shu)；PTVA120501EA-V1提(ti)供優異的(de)(de)(de)熱(re)穩定性(xing)(xing)和優異的(de)(de)(de)安全可靠性(xing)(xing)。

特征描述

寬帶網絡放入支持

高增益控制和高效果

最舉例的脈(mo)沖(chong)信號CW穩定性指數；1200–1400MHz

50伏

300ms脈沖激光一直時間(jian)段(duan)

10%pwm占空比

P1dB時的輸送(song)輸出54W

高速率的率55%

收獲值(zhi)16dB

集成系(xi)統化ESD守護

低導熱系數

無(wu)鉛(qian)并(bing)非常符合RoHS規范規范

app鄰域

1200至(zhi)1400MHz頻(pin)繁(fan)段的瓦數放縮器；聲納(na)定向天(tian)線(xian)

CREE（科(ke)銳）籌建(jian)于1987年，CREE科(ke)銳應有30幾十年的(de)(de)(de)(de)(de)移動寬帶(dai)GAP原材質料和科(ke)學創新(xin)產品(pin)，CREE科(ke)銳一個全(quan)版的(de)(de)(de)(de)(de)設計配合夥伴，貼(tie)合微(wei)(wei)波射(she)頻的(de)(de)(de)(de)(de)使用需求，CREE科(ke)銳為行(xing)行(xing)業水平(ping)先(xian)進(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)系統的(de)(de)(de)(de)(de)設備供給更強(qiang)的(de)(de)(de)(de)(de)電率和更低的(de)(de)(de)(de)(de)功用耗費。CREE科(ke)銳由(you)最(zui)現在(zai)開(kai)始的(de)(de)(de)(de)(de)GaN基本的(de)(de)(de)(de)(de)材質材料LED物料高技術(shu)技術(shu)領先(xian)全(quan)天下，到紅外(wai)光微(wei)(wei)波射(she)頻與公厘波單(dan)片機芯片物料，CREE科(ke)銳于2017年剝離(li)出徽(hui)波頻射(she)加盟品(pin)牌(pai)Wolfspeed，以網絡帶(dai)寬、大工作效(xiao)率縮放(fang)器的(de)(de)(de)(de)(de)產品(pin)為上海特(te)色。

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