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?SemiGen肖特基電感

發布了時期：2023-05-29 17:00:04     觀看：1056

SemiGen的硅肖特基電感銳意創新于40GHz元技術的APP的需求設計方案設計。層次性治療技術在一些鋁合金原料方案設計為低、中合高阻斷技術APP作為安全性能優缺點。最中可是是擁有按照嚴格把控電感的低電阻功率整流二極管，就可以建立比較高熱效率。SemiGen肖特基場效應管低聯席會損耗率和高品質的TSS進而使電感是了本職工作頻段從S股票波段到Kak線的偵測器/混頻器方法廣泛應用還有其解調器、低工作功率制約器和高速的度開關按鈕的最優選用。

表現形式：

多(duo)結整理單片機芯片

低1/F燥音(yin)

個人心得體(ti)會電解電容(rong)

應該用：

適用性于(yu)混頻器、測探器、倍頻器調解(jie)調器。

SemiGen是新(xin)加坡(po)二家晶(jing)圓(yuan)級rf射頻器(qi)材(cai)戰(zhan)斗力派(pai)制造出(chu)商，從(cong)晶(jing)圓(yuan)到(dao)芯片(pian)封裝器(qi)材(cai), 分類豐(feng)富(fu)多(duo)樣，從(cong)航(hang)空工業級MIL-PRF 38534到(dao)軍(jun)用裝備MIL-PRF 19500、750和883，SemiGen全力于(yu)保(bao)證優良的(de)線(xian)質(zhi)量和穩(wen)定性性。

蘇州市立(li)維創展科技產業有(you)限工司英文工司，授權許可代辦于全國城市銷量SemiGen軟(ruan)件，并(bing)具(ju)備售中和售服(fu)(fu)的技術適用服(fu)(fu)務培訓。

祥情熟悉SemiGen請(qing)點：//m.takasago.net.cn/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

0.280

0.20

20.0

-52

SLB102

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB103

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB104

3.0

0.250

0.15

20.0

-55

SLB105

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB106

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB107

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

3.0

0.300

0.14

20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

4.0

0.250

0.20

20.0

-55

SLB113

4.0

0.280

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20.0

-52

SLB114

4.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

0.320

0.15

0.35

-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SMB200

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0.400

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20.0

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3.0

0.400

0.20

20.0

-50

SMB202

3.0

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0.12

20.0

-48

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3.0

0.400

0.14

20.0

-45

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4.0

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0.15

20.0

-52

SMB205

4.0

0.425

0.15

20.0

-50

SMB206

4.0

0.425

0.12

20.0

-48

SMB207

4.0

0.425

0.14

20.0

-45

SMB208

4.0

0.450

0.14

20.0

-52

SMB209

4.0

0.450

0.15

20.0

-50

SMB210

5.0

0.450

0.14

20.0

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20.0

-45

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0.475

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20.0

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5.0

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0.12

20.0

-48

SMB215

5.0

0.475

0.15

20.0

-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

0.500

0.14

25.0

-52

SHB301

5.0

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25.0

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SHB302

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SHB304

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SHB308

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0.14

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SHB309

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-42

SHB315

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-40


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