的行業手游資訊
發(fa)布消(xiao)息(xi)時段:2023-06-08 16:49:38 看:1189
CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高(gao)電子遷移(yi)率晶體管(HEMT),適用于1200至(zhi)1400MHz頻率段。GTVA12600具(ju)備輸入適配性能;高(gao)效化(hua);和熱強化(hua)包。
功能
輸進兼容性測試
種類的單(dan)激光(guang)脈沖CW穩定(ding)性(AB類);1200MHz;50伏;300μs脈沖激光(guang)頻繁 ;10%pwm占空比(bi);打印輸出效率(lv)(P3dB)=600W;引(yin)流(liu)管利用率(lv)=65%;收獲值=18dB
可不可以(yi)在單脈(mo)沖造成的氛(fen)圍下為600W轉換效率承載力10:1環境下失諧(大(da)部分相位(wei)差):300μs輸入脈(mo)沖工作頻率;10%pwm占(zhan)空比;VDD=50V;IDQ=100mA
名模模式化1C類(不同AnSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛(qian)并達到(dao)RoHS基(ji)準規則
用
雷達探測縮放器
CREE(科(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui))設立于1987年(nian),CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)滿足30多(duo)年(nian)的(de)的(de)寬(kuan)帶網GAP原料(liao)料(liao)和科(ke)(ke)學(xue)創新(xin)貨品(pin)(pin),CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)是個完(wan)全(quan)的(de)設計(ji)構思合作協議好朋友,具備rf射頻的(de)供需,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)為(wei)行業(ye)界技(ji)術水平(ping)世界領先的(de)機械的(de)設備的(de)設備出(chu)(chu)具更(geng)(geng)強的(de)耗(hao)(hao)油(you)率(lv)和更(geng)(geng)低的(de)工作耗(hao)(hao)費。CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)由最慢慢的(de)GaN基本的(de)材(cai)質材(cai)料(liao)LED類(lei)貨品(pin)(pin)工藝前沿世界各地里,到紅外(wai)光頻射與公分波(bo)(bo)電子器件類(lei)貨品(pin)(pin),CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)于2017年(nian)破乳(ru)出(chu)(chu)微波(bo)(bo)通信微波(bo)(bo)射頻項目Wolfspeed,以(yi)移動寬(kuan)帶、大功效調小器產品(pin)(pin)為(wei)獨具特色。
西(xi)安市立維創展(zhan)現代(dai)科(ke)技是(shi)CREE的生產商商,占有CREE微(wei)波射頻(pin)元器優缺點供貨期方(fang)法,并長(chang)久(jiu)的倉庫(ku)現貨黃金,以備不時之需中國(guo)內地股票市場訴求。
內容熟悉CREErf射頻微波通信請雙擊://m.takasago.net.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA126001FC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA126001EC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |