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CREE的PTVA101K02EV LDMOS FET設計用作1030MHz/1090MHz頻(pin)率段(duan)的(de)(de)功率放大器應用領域。PTVA101K02EV-V1特(te)性(xing)包含(han)具備螺栓穩(wen)固法蘭(lan)盤的(de)(de)高增益和耐高溫(wen)高性(xing)能封裝。選用Wolfspeed前(qian)沿的(de)(de)LDMOS工藝(yi)技術；PTVA101K02EV-V1具備優(you)(you)異(yi)的(de)(de)熱穩(wen)定性(xing)和優(you)(you)質系統的(de)(de)可靠性(xing)。

特點

光纖寬帶設置替換

高增益(yi)控制(zhi)、高效(xiao)能率

集成化化ESD呵(he)護

模特兒對模型2級（可根據ANSI/ESDA/JEDECJS-001）

低導熱標準值

無鉛并充(chong)分滿足(zu)RoHS標準化

在(zai)MODE-S脈沖信號前提下能背負1000W的10:1負債失諧（大多數(shu)相角）；（32μS停用/18μS倒(dao)閉）X80；LTDF=6.4%。

軟件方面

1030至1090MHz概(gai)率(lv)段的工率(lv)拖動(dong)器(qi)

CREE（科(ke)(ke)(ke)銳(rui)）成(cheng)立(li)公司(si)于(yu)(yu)1987年(nian)，CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)提供(gong)30十(shi)幾年(nian)的(de)(de)寬(kuan)帶(dai)網(wang)絡GAP原(yuan)料料和多元化商品，CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)有的(de)(de)是(shi)個系(xi)(xi)統的(de)(de)結構設計合作(zuo)方式好(hao)朋友，達到(dao)微(wei)波(bo)射(she)頻的(de)(de)各種需求，CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)為行行業技術主設備(bei)領先地位的(de)(de)系(xi)(xi)統主設備(bei)出(chu)具更強的(de)(de)工作(zuo)電壓和更低的(de)(de)用途(tu)損失。CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)由最就開(kai)始的(de)(de)GaN材料的(de)(de)特性LED好(hao)設備(bei)技術工藝最前(qian)沿全(quan)這個世界(jie)，到(dao)微(wei)波(bo)通(tong)信頻射(she)與直徑波(bo)集成(cheng)ic好(hao)設備(bei)，CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)于(yu)(yu)2017年(nian)離(li)心分離(li)出(chu)紅外光微(wei)波(bo)射(she)頻高端品牌Wolfspeed，以光纖寬(kuan)帶(dai)、大(da)電率變(bian)成(cheng)器新產品為自己的(de)(de)特色。

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