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發布新聞(wen)時長(chang):2023-09-13 16:58:47 觀看(kan):1246
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率(lv)晶體管(guan)(HEMT);高增益和(he)寬(kuan)帶寬(kuan)性能。從而使得(de)GTVA101K4特別(bie)適(shi)(shi)合0.96–1.4GHz頻率(lv)段的應用(yong)(yong)。GTVA101K4晶體管(guan)適(shi)(shi)合于(yu)從UHF到1.4GHz的特殊頻率(lv)段技術應用(yong)(yong)。
表現形式
顯示適應
比較(jiao)常見的(de)智能(neng)間隔波能(neng)力(li);960–1215MHz;50V;一層;128μs激光脈沖(chong)橫向(xiang);10%pwm占空比;P3dB=1400W時的(de)內容輸出電機功率;事情熱(re)效率=68%;增(zeng)加收益值=17dB
無鉛并充分滿足RoHS規則
適用研究方向
汽車雷達擴大器
CREE(科(ke)(ke)銳(rui)(rui))組建于(yu)(yu)1987年,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)要具(ju)備(bei)30這(zhe)么多年的(de)(de)移(yi)動寬(kuan)帶GAP原料(liao)料(liao)和(he)科(ke)(ke)學(xue)創(chuang)新類產品(pin),CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)不是(shi)個詳細完整的(de)(de)設汁達成(cheng)合(he)作粉絲(si),適合(he)頻(pin)射(she)(she)的(de)(de)需要,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)為(wei)行同行業技術(shu)水平當先(xian)的(de)(de)機(ji)器人環保(bao)設備(bei)提拱(gong)更(geng)強的(de)(de)電(dian)功率和(he)更(geng)低的(de)(de)系統材料(liao)耗費。CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)由最準備(bei)的(de)(de)GaN基面材料(liao)LED貨品(pin)科(ke)(ke)技領先(xian)于(yu)(yu)全世上,到微波rf射(she)(she)頻(pin)rf射(she)(she)頻(pin)與厘米(mi)波存儲(chu)芯片(pian)貨品(pin),CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)于(yu)(yu)2017年分開(kai)出(chu)紅外光rf射(she)(she)頻(pin)知名品(pin)牌Wolfspeed,以寬(kuan)帶網、大工作電(dian)壓縮放器物(wu)品(pin)為(wei)特(te)點。
蘇州市(shi)立維(wei)創展技術是(shi)CREE的經銷處商(shang),享用CREE紅外光(guang)元器件好處供貨(huo)營銷渠道(dao)營銷渠道(dao),并長久(jiu)貨(huo)存(cun)現貨(huo)黃(huang)金,以期中(zhong)國現代餐飲(yin)市(shi)場意愿。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |