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Electro-Photonics的Q3XG-1850R藕合用具備SMT機械性能指標，針對提醒的錢路板合理布局通過詳細SEO的調整。備選成長型型芯片封裝，更具低插進損失和高電功率機械性能指標。Q3XG-1850R相溶交叉耦合器最主要的中用窄帶和帶寬工作電壓調小器利用各個領域。

Q3XG-1850R耦合電路器是(shi)不是(shi)磁塊(kuai)的，適用(yong)在MRI用(yong)上適用(yong)。Dragon?合體(ti)器在歐美國(guo)家構思生(sheng)產制造，充分滿足(zu)RoHS和REACH的標準。

Q3XG-1850R規(gui)范外層(ceng)治(zhi)理是(shi)浸(jin)錫。能可根據可以(yi)帶(dai)來了物理鍍鎳浸(jin)金(ENIG)。

基本特征

1500–2200MHz

低(di)損(sun)失

高(gao)隔絕(jue)度

嚴(yan)厲(li)的(de)波幅平橫(heng)性

90度正(zheng)交

單單從表面貼裝水平

CTE兼容性測試(shi)

DCS、PCS、LTE率段

卷帶選定(ding)

分(fen)析板(ban)722-0006-03-E01

技術參數(shu)

規格尺寸(cun)：0.560x0.3504英(ying)寸(cun)

的頻率：1500-2200MHz

額定(ding)輸(shu)出輸(shu)出：165瓦

放入耗損：0.10dB

浮(fu)度(du)靜態平衡(heng)性：±.2

分隔度：28dB

駐波比：1.15

相位均衡性(xing)(xing)性(xing)(xing)：±2