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CREE的(de)(de)(de)CGHV96130F是(shi)無定形碳(tan)硅(gui)(SiC)板材上(shang)的(de)(de)(de)氮化鎵(GaN)高(gao)挪動率(lv)晶胞管(HEMT)與(yu)某些能力相較，CGHV96130F內層(ceng)適應性(IM)FET具備出眾的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)功效額外增加高(gao)效率(lv)。與(yu)砷(shen)化鎵比起，GaN享有更(geng)快(kuai)的(de)(de)(de)效果(guo)；涉及到更(geng)多(duo)的(de)(de)(de)熱(re)擊穿(chuan)場(chang)強；更(geng)多(duo)的(de)(de)(de)飽和(he)狀(zhuang)態電子漂移進程和(he)更(geng)多(duo)的(de)(de)(de)熱(re)導率(lv)。與(yu)GaAs結晶管較之(zhi)，GaN HEMT還(huan)兼有極高的電(dian)功率容重(zhong)和更寬(kuan)的上(shang)行速率。CGHV96130F應(ying)用五金/陶瓷圖片法蘭片裝封可以(yi)實現(xian)了最好的的電(dian)和熱固相關性。

特征描述

166WPOUT（典型性(xing)值(zhi)）

7.5dB熱(re)效率(lv)增益值(zhi)值(zhi)

42%明顯(xian)PAE

50Ω組(zu)織(zhi)結構(gou)配適(shi)

<0.3dB熱效率回落(luo)

貨品外形尺寸

表述：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；具體(ti)用(yong)來X光波汽車雷達(da)技術應用(yong)的填(tian)寫/的輸出適應GaNHEMT

世界最(zui)大次數(MHz)：8400

最(zui)主(zhu)要幾(ji)率(lv)(MHz)：9600

很高值(zhi)內容輸出電功率(lv)(W)：130

速(su)度（％）：42

額(e)定功率(lv)工作電壓(V)：40