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自(zi)偏置(zhi)低噪(zao)聲放大器主(zhu)要針對目前自(zi)偏置(zhi)放大器的噪(zao)音和增(zeng)益(yi)頻(pin)帶寬度無法滿(man)足各種的問題。主(zhu)要包括兩級功率放大電(dian)路，第一級功率放大電(dian)路由功率電(dian)感L2組(zu)成、NMOS管(guan)M1、PMOS管(guan)M2、負(fu)反饋(kui)電(dian)阻值R1與(yu)負(fu)載(zai)電(dian)源電(dian)路Z1相接(jie)；第(di)一級功(gong)率放大(da)電(dian)路的輸出端連接(jie)第(di)二(er)級功(gong)率放大(da)電(dian)路，第(di)二(er)級功(gong)率放大(da)電(dian)路由(you)共源NMOS管(guan)M3和(he)匹配電(dian)阻(zu)R2組成。該M1管(guan)、M2管(guan)和(he)M3管(guan)用(yong)作(zuo)提(ti)供電(dian)壓(ya)增益，負(fu)反饋電(dian)阻(zu)值R1和(he)功(gong)率電(dian)感L2用(yong)作(zuo)輸入特性阻(zu)抗，負(fu)載電(dian)源電(dian)路Z1拓展增益頻(pin)帶寬(kuan)度，匹配電(dian)阻(zu)R2用(yong)作(zuo)輸出特性阻(zu)抗。

CHA3666-99F是款兩(liang)級自偏(pian)置寬帶單芯片低噪聲放(fang)大器。

CHA3666-99F采用標準PHEMT工藝技(ji)術：25um柵(zha)(zha)極長度、穿過(guo)襯底(di)的(de)通孔、空氣橋和(he)電(dian)子(zi)束柵(zha)(zha)極光刻技(ji)術。

重點特證

寬帶(dai)性能：6-17GHZ

1.8db噪聲(sheng)系數

26dbm三(san)階截(jie)距點(dian)

1db壓縮時的(de)17dbm功率

21db增益值

低直流電電耗電量

直流電偏(pian)置電壓：Vd=4.0伏@ld=80MA

封裝尺寸1.47x1.47x0.1mm