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?CGHV50200北斗衛星電力氮化鎵高智能電子轉化率晶狀體管CREE

公布的(de)時(shi)期:2024-01-16 17:16:48     打(da)開(kai)網頁:893

CGHV50200F是種幫著設汁用在高效化氮化鎵(jia)(GaN)高電(dian)子(zi)遷移率(lv)晶(jing)體(ti)管(HEMT);高增益和寬(kuan)帶寬(kuan)性能;從而使得CGHV50200F成(cheng)為了對流層光學散射通訊(xun)的最佳(jia)選擇;4.4-5.0GHzC頻率(lv)段(duan)衛星通訊(xun)應用(yong)與超低空。CGHV50200F選用(yong)陶瓷(ci)/金屬(shu)法(fa)蘭封(feng)裝(zhuang)形式。

CREE (17).png

特征描述

4.4–5.0GHz業務

180W較為常見PSAT

11.5dB較為常見工作電壓增加收益值

48%較為常(chang)見電(dian)源適(shi)配(pei)器效果

50Ω里面兼(jian)容性測試(shi)

用層面

遙感衛星電力

超出視角——BLOS

互(hu)流層(ceng)光學(xue)材料散射(she)通信網絡

服務規格型號

講(jiang)述:200瓦;4400-5000MHz;50Ω放入/傳輸適(shi)用;氮化(hua)鎵(jia)高電(dian)子元(yuan)器件轉移率氯(lv)化(hua)鈉晶體管

評(ping)均頻點(MHz):4400

最大幀(zhen)率(MHz):5000

上限值傷(shang)害輸出(W):200

增益(yi)控制值(dB):11.5

上班轉化率(%):33

額定容量直流電壓(V):40

行式:封(feng)裝類型行式分立多晶(jing)體管

裝(zhuang)封型號:卡箍盤(pan)

技木(mu)使用:GaN-on-SiC

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