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CGHV96050F1是(shi)款碳化(hua)硅(SiC)基材上的氮化(hua)鎵(jia)(GaN)高(gao)電子遷移率(lv)晶體管(guan)(HEMT)。與其它同(tong)類(lei)產品相(xiang)比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率(lv)附帶效(xiao)率(lv)。與硅或砷化(hua)鎵(jia)相(xiang)比較，GaN具有更(geng)加(jia)優異的性能；包含(han)更(geng)高(gao)的擊穿場強；更(geng)高(gao)的飽(bao)和電子漂移效(xiao)率(lv)和更(geng)高(gao)的導熱系數。與GaAs晶體管(guan)相(xiang)比較，GaN HEMT還(huan)推出更(geng)(geng)高的(de)功率(lv)密度和(he)更(geng)(geng)寬的(de)帶寬。CGHV96050F1使用金(jin)屬/陶瓷法蘭盤封裝形式(shi)，能(neng)夠實(shi)現最好電力設備和(he)熱穩定性。

特證

7.9–8.4GHz操作

80WPOUT（典例值）

>13dB效(xiao)率收獲(huo)值

33%明顯直線PAE

50Ω內部組織組合

<0.1dB馬力降

軟件應用方向

衛星信號通信網絡

地面磚網絡帶寬

物料技術參數

描寫：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；輸(shu)出/打印(yin)輸(shu)出如何搭(da)配GaNHEMT

評均頻次(MHz)：7900

最快平率(MHz)：8400

非常高(gao)值模擬(ni)輸出電功(gong)率(lv)(W)：50

收獲值(zhi)(dB)：13.0

質量（％）：33

固定(ding)額定(ding)功率(V)：40

風格：打包封裝風格分立(li)結(jie)晶體管

芯片(pian)封裝狀態(tai)等級(ji)分類：法(fa)蘭片(pian)盤

高技術選用：GaN-on-SiC