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CMPA1C1D060D是款炭化硅單晶硅上通過氮化鎵 (GaN) 高光學轉入率尖晶石管 (HEMT) 的片式微波射頻一體化電路原理 (MMIC)；CMPA1C1D060D應用0.25 μm柵極規格拍攝藝。與硅相信較，GaN-on-SiC具有著相對不錯的特點；砷化鎵或硅基氮化鎵；涉及更多的電壓擊穿場強；更多的飽和點電子技術漂移效應和更多的傳熱性常數。

優點

兼(jian)具 26 dB 小網絡信號增加(jia)收益值

60 W 典型(xing)示范 PSAT

功率電壓電流高至 40 V

高擊穿電壓場強

高熱度遠程操作

軟件前沿技術

PTP wifi電(dian)力

衛星影像聯系上下(xia)行鏈接

物料年紀

分析：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 公(gong)率放(fang)縮器

最底平率(MHz)：12700

最多頻繁(MHz)：13250

最好(hao)值輸出電壓最大功率(W)：65

增益(yi)控制值(dB)：26.0

吸收率（％）：30

額定(ding)的電流(liu)值(V)：40

狀(zhuang)態(tai)：MMIC 裸片

封裝(zhuang)類型品類：Die

新(xin)技術app：GaN-on-SiC