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采用包括自立柵極偏壓抑制的串并聯晶胞管的GaN HEMT圖像放大儀的線性網絡增加

上傳時間(jian)間(jian)隔：2018-09-06 15:19:40     瀏(liu)覽器：1946

弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具有著高輸出的工作電壓效果容重和移動寬帶寬下的效果高率。雖然GaN HEMT的直線度基本比GaAs集成電路芯片的直線度差。選文提供者打了個種簡單易行的具體方法步驟來優化GaN HEMT的直線度。所提供者的具體方法步驟是將集成電路芯片劃分為與獨自調控的柵極偏置工作電壓電容串聯的多子模快，再對聯模快輸出的工作電壓去效果搭配組合。


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