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人們情況匯報一個高特性的GaN MMIC公率調小器運作在40MHz到400MHz之前。這種控制80W智能信號（100US智能信號高度和10%占空比）MMIC循環往復）輸出公率（P5dB），40MHz，50W能力為54%較為基本比較便宜30%的能力在大環節的里頭頻譜，及在400MHz時，能力逐步降低到30W，能力為22%。40-400MHz頻段的公率收獲為25dB。這種超大帶特性是依據剪裁系統來控制的。輸出電位差，并食用現代感的帶寬電路原理板適合拓補學。兩者系統的詳盡設計的方法工藝并總結出適合電路原理板。系數法條-帶寬調小器，高電壓降方法工藝，紅外光配件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
類別（圖2）。電流偏置電壓值和rf射頻打印輸出電壓特性電位差這款HIFET也是1.4mm公司電池板的兩倍。部件，特殊是在超低頻高壓發生器段。依據盡可能的進行公司模快機器的各個和模快模快機器的的數量類別，我們大家能否調優HIFET打印輸出電壓特性電位差為比較接近于50歐姆，以改變寬帶網使用性能。