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　　CHR2295-99F是UMS微波射頻一款(kuan)高性能(neng)(neng)的(de)GaAs單片(pian)微波集(ji)成電路(IC)，專為商業通(tong)信系統中的(de)下變頻(pin)應用而設計。該芯片(pian)集(ji)成了多種功能(neng)(neng)，包括LO(本地振蕩器(qi))時間(jian)雙倍頻(pin)器(qi)、平衡冷FET混頻(pin)器(qi)和RF低噪聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)(LNA)，使其能(neng)(neng)夠有效(xiao)地將LO信號(hao)轉(zhuan)換為RF信號(hao)。

　　該芯片的主要特點包括：

　　- 聯通寬帶能力：RF網絡上行寬帶為24-30 GHz，LO網絡上行寬帶為12-15 GHz。　　- 轉化成增加收益：rf射頻增加收益(Conversion Gain)在11至15 dB當中。　　- 噪音分貝常數：3.5 dB，采采用超低頻高壓發生器段>0.1 GHz。　　- LO鍵盤輸入電率：最高參考值-10 dBm，比較大參考值10 dBm。　　- RF導入輸出：在1 dB收獲解壓縮點時為-10 dBm。　　- 低交流電功效耗用：120 mA @ 3.5 V。　　- 電源芯片寬度：2.49 x 1.97 x 0.10 mm。　　CHR2295-99F適用pHEMT生產技術應用開發，具備著0.25納米的柵長，并經過柔性板孔、自然空氣橋和智能束柵星空刻技術應用保證 高的精密度和牢靠性。集成塊的后邊制作為微波射頻和直流變壓器接地保護，簡單了裝配圖過程中 ，上升了體統的牢靠性和性能指標。

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