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CGHV1J025D C頻譜25-W; 18.0GHz;GaN HEMT 基帶芯片CREE

推送準確(que)時間:2022-09-14 16:44:37     瀏覽器:1345

Wolfspeed的CGHV1J025D是高相電壓;氮化鎵在氧化硅襯底上(GaN)氯化鈉晶體管兼有較高的微電子轉移率(HEMT);CGHV1J025D采用0.25-μm柵極大小的打造生產工藝。這般GaN-on-SiC商品作為更優質的低幀率;效應率的性狀。CGHV1J025D特別的適用在40V在高穿透場強下家庭作業10MHz至18GHz種種操作。

CGHV1J025D.png

優點

17dB關鍵(jian)。10GHz時的小4g信號增益控制值

60%類型值。10GHz時的PAE

25W經典PSAT

40伏控住(zhu)

超(chao)過18GHz的控住

APP

通(tong)訊設(she)備(bei)衛(wei)星通(tong)訊設(she)備(bei)

PTP通迅跳轉(zhuan)

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Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J025D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

25 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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