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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高手機轉入率氯化鈉晶體管(HEMT)。享有前所并未的放入，可在DC-2.0GHz位置范圍內供給建議的的瞬時帶寬能力。與硅或砷化鎵不同之處較，CGHV40180體現了十分高品質的耐腐蝕性；包涵更多的穿透場強；更多的飽合電子技術漂移速度慢與更多的導電數值。與Si和GaAs結晶管比起較，CGHV40180還帶來會高的電功率體積和更寬的上行帶寬。CGHV40180建議選用2高壓導線合金材料/陶瓷圖片法蘭盤盤和藥丸式封裝，還可以完成最佳電力設備和熱相對穩定性、可靠性、安全性等等分析。

特性

鍵盤輸入不自適應

180W(CW)平(ping)均(jun)公率

250W一般電率

24dB舉例(li)小手機信號收獲(huo)值

28V和(he)50V食用(yong)

技術應用域

聲納偵測

醫疔養身

帶寬放縮器

信息(xi)查詢人身安全VHF-UHF

國(guo)家安(an)全國(guo)防通信技術設施

的產品外形尺寸

文章的(de)話：180瓦；DC-2GHz；氮化(hua)鎵高(gao)自(zi)動(dong)化(hua)搬遷率(lv)多晶體(ti)管(guan)

低點(dian)平率(lv)(MHz)：0

最好(hao)頻(pin)繁 (MHz)：2000

最好值傷害最大功率(lv)(W)：200

增益控制值(聲音頻率)：24.0

的效率（％）：70

電機(ji)額定功率電流電壓(V)：27

業務(wu)類(lei)型：裝封分立(li)晶狀體管

打(da)包封裝行業類(lei)型：蝶閥法蘭(lan)盤、丸狀

高技術選用(yong)：GaN-on-SiC