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CREE的CMPA1D1E025F是款氫氟酸處理硅單晶硅上選擇氮化鎵 (GaN) 高電子技術轉至率單晶體管 (HEMT) 的單面微波通信智能家居控制三極管 (MMIC)；選擇 0.25 μm 柵極長寬生產制作生產工藝。與硅相對比較，GaN-on-SiC具備著更良好的能；砷化鎵或硅基氮化鎵；帶有高一些的穿透場強；高一些的過飽和電子無線漂移效應和高一些的導熱性數值。CMPA1D1E025 備選 10 電纜線；25 mm x 9.9 mm；金屬材料/淘瓷法蘭盤盤封口也可以滿足最很好的電氣公司設施和熱比較穩定義。

特殊性

24 dB 小無線信號增加收益值

40 W 一般輸入(ru)脈沖數(shu)據 PSAT

電機額(e)定功率(lv)電阻值(zhi)高(gao)至 40 V

OQPSK 下 20 W 線形電率(lv)

A/B類高增益控制；科學規范(fan)率 50 Ω MMIC Ku 頻點(dian)段高最大功率放縮器(qi)

廣泛應用的領域

軍用用和商業(ye)應用 Ku k線(xian)聲納

物料標準

陳述(shu)：25瓦；13.75 至(zhi) 14.5 GHz；40V；Ku 中波段 GaN MMIC 輸出功(gong)率拖動器(qi)

更低(di)速(su)率(lv)(MHz)：13500

極(ji)限頻次(ci)(MHz)：14500

上限值輸入功效(W)：25

增益(yi)值值(dB)：26.0

業務錯誤率(lv)（％）：16

額定值交流電壓(V)：40

類形：二極管(guan)封(feng)裝的(de)MMIC

封口門類：法蘭盤盤

技術應(ying)用：GaN-on-SiC

山東市立維創展信息技術現有公司許可生(sheng)產商CREE微波加熱功率器件，要(yao)(yao)是還要(yao)(yao)購(gou)CREE企業產品，請選擇右測客服中心聯絡(luo)我(wo)！！！