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CREE的CMPA1D1E030D是款氧化硅單晶體上依照氮化鎵 (GaN) 高光電子移遷率結晶體管 (HEMT) 的單支紅外光模塊化控制電路 (MMIC)；CMPA1D1E030D適用0.25μm柵極寬度生產能力能力。與硅相對于較，GaN-on-SiC還具有變得更加出色的機械性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；含蓋更為重要的擊穿電壓場強；更為重要的飽和光電漂移速度和更為重要的傳熱性公式。

特證

27 dB 小4g信號增(zeng)益值(zhi)值(zhi)

30 W 一般 PSAT

任務端(duan)電(dian)壓高至 40 V

高損壞場強

高的溫度度控制車

利用行業領域

移動(dong)通(tong)訊衛星移動(dong)通(tong)訊上下(xia)行鏈

物料規模

敘(xu)述：30瓦(wa)；13.75 至(zhi) 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 輸出功率擴大器

最便(bian)宜率(MHz)：13750

更(geng)高(gao)頻繁(MHz)：14500

最好值模擬輸出瓦數(W)：30

收(shou)獲值(dB)：26.0

有效率（％）：25

運(yun)轉(zhuan)電(dian)壓(ya)降(V)：40

組織形(xing)式：MMIC 裸片

封口種類：Die

技術：GaN-on-SiC

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