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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低添加圖片和回退耗率巴倫電壓器，由不取舍線圈和中央抽頭取舍線圈結構類型的取舍環，雙邊分享瓦數，二個目標搭配。North Hills巴倫斯精密五金項目低添加圖片和回波耗率。優美的取舍是達到內部等勢面的結構類型來達到的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447很高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫提拱了檢測的線路特點至1.2GHz的簡單和會直接的工藝。很高頻巴倫匹配好指定趨勢的特性阻抗，但會為低插入表格和回波耗用參與了精密模具設汁。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫箱式變壓器，一般的借款用途1千赫茲- 125兆赫，由不動態失衡量電機繞線和機構抽頭動態失衡量電機繞線主成的動態失衡量環，雙軌傳達著電功率，多個目標相匹配。北山巴倫斯精密五金工業低導入和回波消耗。好的動態失衡量是使用底層等勢面的機構來滿足的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L股票波段直流電砷化鎵場效果多晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是直流電、高工作任務電壓、高波形和移動寬帶用的部件配備專利局設配硬件配置。該器材的總器材外圍網為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高工作任務電壓微波射頻用而定制的，工作任務幀率敢達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S頻譜高增益值高做工作做工作電壓砷化鎵場效果氯化鈉晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是環節連接的專利申請系統性能，用做高做工作電壓、高做工作做工作電壓和移動寬帶選用。該器材的總器材外面為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高做工作做工作電壓微波加熱選用而設計制作制作的，做工作聲音頻率高達到6GHz。BI編采用了的特有設計制作制作的工業陶瓷封裝類型，存在打彎或條直線的引線進行安裝行為。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L中波段砷化鎵場邊際效應晶狀體管高直流電壓高耗油率和帶寬利用AM010MH2-BI-R，該電子元熱效率器件的總電子元熱效率器件外場為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高耗油率紅外光利用而制定的，本職工作率超過6GHz。BI系列的用于的特別的制定的衛浴陶瓷裝封，具備著拉伸或線路的引線裝置方法。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X光波低嗓聲增加器處理器是嗓聲標準值很低的增加器。通常情況用到種類wifi電發送到機的低頻或中頻外置增加器，各類高快速度電子無線檢測機器設備的增加線路。在增加不大手機信號燈的的場合，增加器工作中的嗓聲對手機信號燈的打擾有可能管得嚴重，由于期盼縮小這樣嗓聲，以增進轉換的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C中波段PCS基站天線航天電子設施設備通訊技術AM005MH2-BI-R。HIFET是大部分切換的著作權設施設備設置，用作高的電壓、高運行運行電壓和寬帶網絡軟件。該元電子電子元件的總元電子電子元件內圍為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高運行運行電壓微波通信軟件而來設計的，運行平率可高達6 GHz。它也是越大運行運行電壓元電子電子元件的很理想安裝變頻器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S頻譜頻射砷化鎵場不確定性耗油率管AM300MX-CU-R，這1這部分的總水閘尺寸為30mm。AM300 MX-CU-R是為高耗油率微波通信廣泛應用而設置構思的，運轉頻率可以達到6GHz。Cu系列作品使用那種異常設置構思的淘瓷芯片芯片封裝，都具有直坐的引線和凸緣的配置方式英文。芯片芯片封裝底下的卡箍還當做電流一定接地系統、頻射一定接地系統和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S股票波段高事業電壓微波通信加熱微波通信微波射頻納米線管AM200MX-CU-R，這一個分的總平板閘門長度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高事業電壓微波通信加熱用途而制定構思的，事業頻段高達獨角獸6GHz。Cu系列作品是一種種特殊化制定構思的瓷器打包打包封裝，都具有直線行駛式引線和凸緣連接式。打包打包封裝頂端的活套法蘭并且做直流電壓的接地線、微波通信微波射頻的接地線和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C中波段VSAT砷化鎵場效用額定電機功率管AM150MX-CU-R ，這一個分的總柵極參數為15mm。AM150 MX-CU-R是為高額定電機功率紅外光利用而設定的，運轉速率高至6GHz。Cu一系列不是種特異設定的淘瓷封口，包括平行線式引線和凸緣的安裝式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L光波S光波大功效砷化鎵功效場作用氯化鈉晶體管AM100MX-CU-R，這這方面的總柵極大小為10mm。AM100MX-CU-R是為高功效徽波技術應用而制定的，作業的頻率超過6GHz。Cu款型也是種特異制定的淘瓷封口形式，兼備美式引線和凸緣安裝程序式。封口形式低部的蝶閥法蘭并且做為直流電壓跨接、頻射跨接和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P頻譜高工作瓦數徽波操作步驟砷化鎵MESFET器材AM072MX-CU-R，這本分一 個周到的探究7.2mm門的間距。在AM072MX-CU-R是私自開發方案的使用于高工作瓦數徽波操作步驟，操作步驟到6GHz。探究銅類型的相片，是在另兩個私自開發方案的瓷磚包裝袋與直導和Cu / W的蓋在另兩個下拉的安裝使用手段。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L頻譜S頻譜高公率紅外光適用構思微波射頻結晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C股票k線S股票k線rf射頻單晶體管AM036MX-QG-R，這一個分的總柵極參數為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高電率徽波應該用而設汁的，本職工作速度高達hg6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L中頻譜S中頻譜徽波頻射結晶體管放小器AM024MX-QG-R ，這一個分的總柵極高度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高輸出功率徽波使用而設置的，業務幀率達到6GHz。QG編也是個金屬封裝，其他引腳屈曲的從表面按裝裝修風格的PC板。封裝的下端同樣是交流電一定與地面、徽波頻射一定與地面和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S中頻譜P中頻譜晶狀體管AM012MX-QG-R，這一部電影分的總柵極寬為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高公率徽波應用領域而設計的，事情速率可以達到6GHz。QG款型是個塑料管打包封口，大多數引腳回彎的面上裝有的風格的PC板。打包封口的底下同樣身為直流變壓器接地系統線、rf射頻接地系統線和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 Lk線Sk線rf微波射頻氯化鈉晶體管AM006MX-QG-R，這一有些分的總柵極長寬比為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高功效微波加熱使用而設計制作的，工作中速度更是高達6GHz。QG系類是一個個塑膠封口，大部分引腳彎曲成的界面按裝風的PC板。封口的左下角互相身為交流電接地極極、rf微波射頻接地極極和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku光波微波射頻晶狀體管放縮器AM005WN-00-R，其總柵極長寬為0.5mm。他是一款 裸模，就能夠加載到18千兆赫。它就能夠提供數據基本特征的飽滿功效為33.4 dBm。它可于低的噪音、高信息規模的收發機和高功效放出機的驅動軟件器。這檔分是按照RoHS標準的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X頻譜Ku頻譜頻射結晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S頻譜C頻譜X頻譜Ku頻譜K頻譜布置式低噪音調小器基帶芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K頻譜）GaN低噪音調小器MMIC，。該帶寬元件非常的很適合必須低噪音公式效能和高鍵盤輸入導出功率生活工作技能的應運。CMD290可以提供12.5 dB的增加收益，一定的噪音公式為2.3 dB，13 GHz時的導出1 dB壓縮視頻點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低噪音污染調大器CMD163國防K股票波段低噪音污染調大器集成ic，有的是款高動態的范圍內GaAs MMIC低噪音污染調大器，相當適合于國防，室內空間和無線通信系統的，里面小尺寸規格和高曲線度是關健設計制作規范要求。該集成電路芯片對於21 GHz采取了整合，可出具不低于24 dB的增加收益，相對應的的打出1 dB進行壓縮點為+19 dBm，噪音污染指數為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 Ck線VSATrf射頻多晶體管AM025WN-00-R，其總柵極凈寬為2.5mm（3個1.25mm的FET串并聯）。這便是另一個裸模，可運作到15千兆赫。它可打造類型的是處于飽和狀態電功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X股票k線Ku股票k線頻射單晶體管AM100WN-00-R，其總柵極凈寬為10mm（六個1.25mm的FET并接）。那是其中一個裸模，可能執行到15千兆赫。它可能帶來主要表現的飽滿公率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X股票波長Ku股票波長頻射多晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X股票光波微波微波微波射頻晶狀體管C股票光波微波微波微波射頻晶狀體管AM005WN-BI-R，其總柵極：寬度為0.5mm。它在陶瓷廠家廠家芯片芯片封裝形式中正常運行能夠達到12 GHz。BI類型采用異常設計的的陶瓷廠家廠家芯片芯片封裝形式，具有著彎度（Bi-G）或直（BI）引線的怎么安裝措施。芯片芯片封裝形式下面的法蘭部同一是電流地線線、微波微波微波射頻地線線和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X波長微波頻射單晶體管AM012WN-BI-R，有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極總寬為1.25mm。它是在工業陶瓷制品BI封口，電腦運行達10千兆赫。BI系適用特出開發的工業陶瓷制品封口，還具有耐折（Bi-G）或直（BI）引線的怎么安裝模式。封口下面的卡箍還充當直流電源保護保護接地、微波頻射保護保護接地和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 Ck線頻射氯化鈉晶狀體管Sk線頻射氯化鈉晶狀體管AM025WN-BI-R，就是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極凈寬為2.5mm。它在工業工業陶瓷封口形式中操作達到8 GHz。BI系列作品安全使用特俗來設計的工業工業陶瓷封口形式，有著回彎（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用玩法。封口形式左下角的蝶閥法蘭互相看做整流與地面、頻射與地面和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P頻譜L頻譜高輸出熱效率微波加熱微波射頻軟件軟件AM100WN-CU-R，這是部件的總柵極寬為10豪米。AM100WN-CU-R是特別為高輸出熱效率微波加熱微波射頻軟件軟件方案的，運行幾率能達到6GHz。CU品類是特別方案的淘瓷打包封裝，具備直引線和插裝式卡箍。打包封裝底層的卡箍直接是 直流電壓接地極裝置、微波射頻接地極裝置和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S頻譜C頻譜AM050WN-CU-R瓷質廠家封口GaN電機電功率HEMT DC-6GHz，該部件的總柵極屏幕寬度匹配是5mm。AM050WN-CU-R是為高電機電功率紅外光app而設定的，運轉概率多達6GHz。CU系類是主要設定的瓷質廠家封口，具備有直引線和起飛式蝶閥卡箍。封口尾部的蝶閥卡箍還是 交流電接地線線、頻射接地線線和熱路。