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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A有的是款主體工程型GaAs MMIC I/Q下定頻器，選用無引腳RoHS兼容型SMT封口。 該元器件提拱13 dB小走勢變換收獲，存在25 dBc邊帶阻止。 HMC6147ALC5A選用低燥音變大器來推動I/Q混頻器，LO由X2倍頻器推動。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A就是款家用suv轎車型GaAs MMIC I/Q下交流伺服控制器，按照符合標RoHS標的12引腳、瓷質無鉛單片機芯片承載(LCC)二極管封裝。該元器件供應14 dB的小信息切換增加收益和25 dBc的iso鏡像能夠抑制安全性能。HMC6789BLC5A按照低的噪音放縮器推動包I/Q混頻器，在這其中LO由x2乘法器推動包

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E有的是款緊密型GaAs MMIC鏡像文件文件控制低噪音風機源直流變頻器這一物件，用于完全符合RoHS的標準的無鉛SMT裝封。 該電子元器件帶來了13 dB的小的信號轉型收獲，17 dBc的鏡像文件文件控制和-2 dBm輸出IP3。 HMC1065LP4E采用RF LNA和由有源X2倍頻器推動的I/Q混頻器運行。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E就是一款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下交流三菱變頻器，用了無鉛5 x 5 mm低剛度注塑工藝朔料表貼封裝。 該元器件供給12 dB的小網絡信號轉型增加收益、1.8 dB的噪聲污染數值和25 dBc的系統鏡像系統仰制耐熱性。 HMC1113LP5E用了LNA，后接由LO減慢器增加器驅使的系統鏡像系統仰制混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B都是款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下定頻器，運用適合RoHS要求的無引腳SMT封裝。 該電子元器件在全部整個頻段超范圍內提供數據13 dB的小預警改換收獲、2 dB的躁音數值和24 dB的iso映射抑止效果。 HMC951B運用LNA，后接由LO儲存器變小器控制的iso映射抑止混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108是款主體工程型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單ICIC芯片紅外光結合線路(MMIC)同相正交(I/Q)低的噪音改換器，按照完全符合RoHS標準的瓷質無鉛ICIC芯片媒體封裝形式。HMC8108將使用范圍為9 GHz至10 GHz的微波射頻(RF)導入信號燈燈改換為內容輸出中端60 MHz典型案例單端中頻(IF)信號燈燈。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE是款緊湊suv型I/Q MMIC混頻器，按照“無鉛”SMT封裝類型，常用作鏡像軟件壓制混頻器或單側隨身攜帶直流軟啟動器。 該混頻器按照兩根規則Hittite雙和平混頻器單元測試卷和一款70度混合式集成電路芯片，均按照GaAs Schottky場效應管加工加工。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E不是款密集型I/Q MMIC混頻器，適用“無鉛”SMT封裝形式，能作作iso鏡像可以抑制混頻器或一側隨身攜帶直流變頻空調器。 該混頻器適用的兩個標淮Hittite雙平衡點混頻器象限和一兩個直角交織電子元件，均適用GaAs Schottky電感的工藝營造。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 創立在Qorvo的氮化鎵方法基礎上毫米，該方法可保證 更好的學習效率，靠得住性，額定公率和可我的世界生存性，并可節省了規格，載重量和利潤。每個FEM將重點的T / R接口功能鍵整合到1個緊身的芯片封裝中：T / R控制開關，額定公率圖像調小儀和低躁音圖像調小儀（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A是一種款砷化鎵(GaAs)單單片機集成電路芯片紅外光集成式線路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，采用了符合國家RoHS標的24引腳、陶瓷圖片無鉛單片機集成電路芯片媒介(LCC)二極管封裝。該元器件封裝都可以作鏡像文件控制混頻器或單側帶電池直流軟啟動器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191是一種款無源寬帶網I/Q單IC芯片徽波集成化電線(MMIC)混頻器，可以用作收到器鏡像文件遏制混頻器或射出器單向帶直流軟啟動。HMC8191包括6 GHz至26.5 GHz的頻射(RF)和本振(LO)使用範圍及其DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬的配置，異常更適合要求寬平率使用範圍

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B就是一款家用suv型GaAs MMIC I/Q混頻器，選用遵循RoHS規格規范的無引腳SMT工業陶瓷二極管封裝。 該器材可以用作iso鏡像遏制混頻器或一側帶進變頻器。 該混頻器選用二個規格規范雙穩定性混頻器單元尺寸和是一個70度交織器材，均選用GaAs MESFET工序制作。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4有的是款高動態的時間位置GaAs PHEMT MMIC適中額定馬力調小器，主要包括無引腳“無鉛”SMT封裝形式。 該調小器極具17至24 GHz的工作中時間位置，供給22 dB收獲、+26 dBm飽和點額定馬力和23% PAE（+5V電源適配器電阻值）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4是款常用GaAs PHEMT MMIC驅動下載圖像放縮電路，通過貼合RoHS規范標準的無引腳SMT封裝形式。 該圖像放縮電路通過+5V單電源模塊，收獲為15 dB，飽合電瓦數為+18 dBm。 在所有運轉頻寬內有一樣的的收獲和輸出電壓電瓦數

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4是款GaAs PHEMT MMIC帶動變小器，通過無鉛4x4 mm表貼工業陶瓷封裝，運轉概率依據為5.5至17 GHz。 該變小器提拱超過30 dB的增益控制、+30 dBm的傷害IP3及+23 dBm的的傷害工作效率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4也是款GaAs PHEMT MMIC能夠調大器，進行無鉛4x4 mm陶瓷廠家表貼打包封裝，工作中工作頻率的范圍為5至20 GHz。 該調大器提供數據超過21 dB的增加收益值、+29 dBm模擬轉換IP3及+22 dBm的模擬轉換工作電壓（1 dB增加收益值縮短時），功耗測試為180 mA（+5V主機電源）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498就是款高gif動態範圍之內GaAs PHEMT MMIC功效放小器，作業聲音頻率範圍之內為17至24 GHz。 HMC498出示24 dB增加收益，飽和狀態功效為+27 dBm，24v電源的電壓為+5V (25% PAE)。 考慮到盡寸較小，HMC498放小器可快些結合到多處理芯片功能(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596就是一款二級GaAs HEMT MMIC中檔馬力放縮器，崗位率條件為16至33 GHz。 HMC-APH596給出17 dB增加收益，采取+5V外接電源電阻時更具+24 dBm打出馬力（1 dB減小）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專業書籍的設計使用于以比較小的整流功效保證 高OIP3。超線型特性已在150MHz至3GHz的準則頻段中得出證件。RFGA2012包括VBIAS引腳，不能訪客針對于特定的追求網站優化動態工作電流。VBIAS引腳也也可以作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024就是一款高動態平衡性InGaP HBT MMIC調小器。RFGA0024的實物有源偏置開關電源線路限制調小器立即從5V開關電源工作上，并展示動態平衡的功率隨濕度波動規律處以理Beta波動規律。此款達林頓調小器的實物配對阻值為50歐姆，越來越比較適合可以小尺寸規格和很少對外部部件的APP。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014就是一款高機械性能InGaP HBT MMIC調小器。RFGA0014的內部組織管理有源偏置電路板禁止調小器隨便從5V電源線事業，并提供數據相對穩定的電流值隨溫度表波動并罰理Beta波動。是一款達林頓調小器的內部組織管理符合電阻功率為50歐姆，尤其適需小圖片尺寸和數最多 外部pcb板的利用。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為從而或win7變頻器級利用裝修設定的線形工率放縮器IC。該元件用會有后殼地線的無引線電子器件媒體。RF5633裝修設定采用在豐富的體溫和工率讀取范圍之內內保證線形。外面適配為倆個頻段的讀取工率提供了可調式性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為中等水平熱效率技術應用開發構思的線形熱效率擴大器IC。該功率器件按照先進的的InGaP異質結雙極單晶體管（HBT）新工藝制造廠，開發構思看做802.16e放射器的結果英文頻射擴大器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827是一個款互通，低費用，高規則化度的RF拖動器IC。該集成電路芯片應用砷化鎵的工藝加工制造，應用3mm x 3mm，16引腳QFN芯片封裝。它更加適宜用做規則化/低低頻噪音拖動器，當中OIP3等同于38dBm，低頻噪音指數公式不低于1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315有的是款極有高效能率砷化鎵異質結雙極納米線管（HBT）縮放器，采用低投資成本外表面貼裝封口。該縮放器是非常支持于可以200MHz至3GHz頻率標準內的高規則化度和低噪音風機污染指數公式的采用。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223一款進行低人工成本漆層貼裝封口的效率GaAs異質結雙極多晶體管（HBT）放小器。該放小器更加可廣泛用于于需求500MHz至3GHz頻次位置內的高直線度和低背景噪聲比率的用。RF3223進行單5V電源開關輸電，進行市場經濟的3mm x 3mm QFN封口。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220一款錯誤率率砷化鎵異質結雙極單晶體管（HBT）調大器，app低的成本外層貼裝芯片二極管封裝。該調大器十分適用人群于需求500MHz至3GHz平率領域內的高線型度和低低頻噪音因子的app。RF3220app單5V電供電設備，app生活的3mm x 3mm QFN芯片二極管封裝。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是專門針對3V拿著系統的優質率優質率規則化變小器IC。該電子元器件主要包括現代化的砷化鎵異質結雙極晶胞管（HBT）新工藝開發，設計方案當作雙模式英文3V CDMA / AMPS拿著數字6蜂窩專用設備擴頻系統和某些軟件應用中的不可能RF變小器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000不是款ibms式限幅器/ LNA，可在2-20GHz概率區間內提高穩進，高能。QPM1000在收獲把握把握下提高17 dB的小走勢收獲把握，在整體的概率區間內擁有1.7 - 4 dB的的噪音標準值，> 18 dBm P1dB。最后，ibms限幅器提高將高達4 W的入射瓦數的穩進性含量，而不想降能。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM確立于1994年17月，由成群的在紅外光加熱電源電路設汁的概念的概念和紅外光加熱電子器件研制技術性各方面經驗值大量的紅外光加熱設汁的概念的概念師構造。它是在歐美馬里蘭州市蓋瑟斯堡，距華盛頓東北約20英里。該大公司充當優勢的紅外光加熱設汁的概念的概念聚集享用盛譽，該聚集有功效FET，MMIC功效擴大器與帶RF和DC相連器的高功效擴大器版塊，這一些版塊已工作好用嗎于紅外光加熱系統性。